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产品分类
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产品信息
参数
符号
测试条件
值 典型值 值 单位
集电极-基极击穿电压
VBR(CBO)
IC=-100μA,IE=0
-40
V
集电极-发射极击穿电压 VBR(CEO)
IC=-1mA,IB=0
-25
V
发射极-基极击穿电压
VBR(EBO)
IE=-100μA,IC=0
-5
V
集电极截止电流
ICBO
VCB=-40V,IE=0
-0.1
μA
发射极截止电流
IEBO
VEB=-3V,IC=0
-0.1
μA
集电极发射极穿透电流
ICEO
VCE=-20V,IB=0
-0.1
μA
直流电流增益
hFE(1)
VCE=-1V,IC=-50mA
120
400
直流电流增益
hFE(2)
VCE=-1V,IC=-500mA
50
集电极-发射极饱和压降 VCE(sat)
IC=-500mA,IB=-50mA
-0.6
V
基极-发射极饱和压降
VBE(sat)
IC=-500mA,IB=-50mA
-1.2
V
特征频率
fT
VCE=-6V,IC=-20mA,f=30MHz
150
MHz
hFE分档/Classification of hFE(1)
档位/Rank
L
H
范围/Range
120~200
200~350
符号
测试条件
值 典型值 值 单位
集电极-基极击穿电压
VBR(CBO)
IC=-100μA,IE=0
-40
V
集电极-发射极击穿电压 VBR(CEO)
IC=-1mA,IB=0
-25
V
发射极-基极击穿电压
VBR(EBO)
IE=-100μA,IC=0
-5
V
集电极截止电流
ICBO
VCB=-40V,IE=0
-0.1
μA
发射极截止电流
IEBO
VEB=-3V,IC=0
-0.1
μA
集电极发射极穿透电流
ICEO
VCE=-20V,IB=0
-0.1
μA
直流电流增益
hFE(1)
VCE=-1V,IC=-50mA
120
400
直流电流增益
hFE(2)
VCE=-1V,IC=-500mA
50
集电极-发射极饱和压降 VCE(sat)
IC=-500mA,IB=-50mA
-0.6
V
基极-发射极饱和压降
VBE(sat)
IC=-500mA,IB=-50mA
-1.2
V
特征频率
fT
VCE=-6V,IC=-20mA,f=30MHz
150
MHz
hFE分档/Classification of hFE(1)
档位/Rank
L
H
范围/Range
120~200
200~350